BIDD05N60T Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

熱抵抗が大幅に低下した IGBT BID シリーズ

 

Bourns 社から IGBT 製品の BID シリーズの紹介です。高出力 IGBT はモータ制御、電力変換、蓄電、蓄エネルギー及び産業用アプリケーション等、中電力から高電力へ変換を行う製品設計に適したスイッチング素子で、今回 VCES が 600V 及び 650V 品のラインナップです。トレンチ構造により、導通損失とスイッチング損失が減少し、性能が向上します。フィールドストップタイプではダイの厚さを大幅に削減出来、同等の平面構造のダイの厚さのわずか 20% に過ぎず、熱抵抗が大幅に低下します。

Bourns IGBT BID シリーズ製品写真

特長

  • VCES:600V 及び 650V
  • 動作温度範囲:-55℃ ~ 150℃
  • 低 VCE(sat):1.5 ~ 1.7V(Typ)

アプリケーション

  • スイッチング電源
  • UPS
  • PFC 回路
  • インバータ

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