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N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOSFETs

N-Channel エンハンスメント モード DMOSFET VN2450

　
DMOSFET
N チャンネル
高インピーダンス
高ゲイン

VN2450 は、N チャネルエンハンスメント・モード（通常オフ）バーチカル DMOSFET です。熱暴走や熱によるセカンドブレークダウンを起こしません。当社のバーチカル DMOSFET は、高いブレークダウン電圧、高い入力インピーダンス、低い入力容量、高速スイッチング速度が望まれるあらゆる用途に適しています。

エンハンスメント モード DMOSFET VN2450

特長

  • 低入出力漏れ電流
  • 低 CISS、高速スイッチング
  • 高入力インピーダンス
  • 高いゲイン

アプリケーション例

  • 電源
  • コンバータ
  • モーターコントロール
  • スイッチ
  • 各種ドライバ：リレー、ソレノイド、ランプ、ディスプレイ等

資料ダウンロード

DMOSFET VN2450 データシート（英文）PDF － 811.72 KB

仕様

  • BVDSS/BVDGS：500V
  • RDS(ON) (max)：13Ω
  • ID(ON) (min)：500mA

熱特性

型番 ID
(continuous)
(mA)		 ID
(pulsed)
(mA)		 Power Dissipation
@TA = 25ºC (W)
θjc
(ºC/W)
θja
(ºC/W)

IDR
(mA)

 IDRM
(mA)
TO-92 200 650 0.74 125 170 200 650
TO-243AA 250 750 1.6 15 78 250 750
　

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