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3300V Silicon Carbide (SiC) MOSFET MSC025SMA330

3300V 炭化ケイ素（SiC）MOSFET MSC025SMA330

　
SiC
Schottky Barrier Diodes
MOSFET

MSC025SMA330 は低静電容量と低ゲート電荷であり低い内部ゲート抵抗（ESR）による⾼速スイッチング速度で接合温度 TJ（max）= 150℃ でも安定した動作し信頼性の高いボディダイオードまた優れたアバランシェ耐性を備えており RoHS 準拠です。

MOSFET MSC025SMA330

特長

  • ＋3.3kV 耐圧品では、業界で最も低いオン抵抗
  • 入出力容量と全ゲート電荷量が少ない
  • 高いジャンクション温度でも安定した動作
  • 低い内部ゲージ抵抗（ESR）による高速スイッチング

アプリケーション

  • 太陽光発電インバータ、コンバータ
  • 産業用モータドライブ
  • スマートグリッドの送配電
  • 誘導加熱と溶接
  • H/EV パワートレインおよび EV 充電器
  • 電源と配電

資料ダウンロード

MSC025SMA330 データシート（英文）PDF － 4.03 MB

　

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